SK海力士目前在高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。然而，三星電子正著眼于下一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)前沿——新一代內(nèi)存技術(shù) Compute Express Link （CXL）。最近，三星申請(qǐng)了多個(gè)與CXL產(chǎn)品相關(guān)的商標(biāo)，引起了各行各業(yè)的關(guān)注。

據(jù)《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》援引業(yè)內(nèi)人士的話報(bào)道，三星近期的商標(biāo)申請(qǐng)包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。這些產(chǎn)品專為內(nèi)存、芯片、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備等而設(shè)計(jì)。在內(nèi)部，三星將 CXL 稱為 CMM（CXL 內(nèi)存模塊）。

CXL 是用于擴(kuò)展數(shù)據(jù)傳輸路徑的下一代接口。雖然 CXL 和 HBM 都是高性能內(nèi)存技術(shù)，但它們的用途不同。HBM 垂直連接多個(gè) DRAM，與傳統(tǒng) DRAM 相比，顯著提高了數(shù)據(jù)處理速度。在現(xiàn)有的DRAM領(lǐng)域，基于DDR的DRAM由于服務(wù)器結(jié)構(gòu)的限制，在擴(kuò)展傳輸帶寬和容量方面面臨限制。

CXL DRAM 利用處理器內(nèi)存互連共享技術(shù)，可以提高主 DRAM 的傳輸帶寬和容量。此外，它可以以更低的成本提高服務(wù)器的主內(nèi)存容量和性能。例如，利用大容量 CXL DRAM 可以將每臺(tái)服務(wù)器的內(nèi)存容量增加 8-10 倍。HBM 和 CXL 有望相輔相成，CXL 被認(rèn)為是內(nèi)存行業(yè)新的競(jìng)爭(zhēng)舞臺(tái)。

近年來(lái)，三星積極追求 CXL 技術(shù)開(kāi)發(fā)。2021年5月，公司率先開(kāi)發(fā)基于CXL的DRAM技術(shù)。2023 年 5 月，三星完成了 CXL 2.0 開(kāi)發(fā)，計(jì)劃從 2023 年第四季度開(kāi)始量產(chǎn) CXL 2.0 DRAM。

SK海力士還深入研究CXL技術(shù)，在2023年9月展示了CXL 2.0產(chǎn)品，落后三星約四個(gè)月。SK海力士計(jì)劃在2023年底前開(kāi)始量產(chǎn)CXL 2.0產(chǎn)品。

展望未來(lái)，值得注意的進(jìn)展包括英特爾計(jì)劃在 2024 年上半年推出支持 CXL 2.0 的“Sierra Forest”服務(wù)器 CPU。此舉可能與 ChatGPT 等對(duì)話式 AI 對(duì) HBM 市場(chǎng)普及的貢獻(xiàn)相提并論，從而可能擴(kuò)大 CXL 市場(chǎng)。