半導(dǎo)體聯(lián)盟新聞，近日，湖北省科技廳發(fā)布2020年度省級(jí)科技重大專項(xiàng)申報(bào)指南，正式啟動(dòng)科技重大專項(xiàng)申報(bào)工作。

據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)報(bào)道，此次申報(bào)工作確定首批啟動(dòng)先進(jìn)存儲(chǔ)器、光通信與5G網(wǎng)絡(luò)、測(cè)繪遙感大數(shù)據(jù)高效處理與智能分析、激光精密制造、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、智能建造、湖北中藥質(zhì)控標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)研究和新一代人工智能8個(gè)專項(xiàng)，擬資助金額8000萬(wàn)元，專項(xiàng)實(shí)施周期為三年，項(xiàng)目實(shí)施預(yù)計(jì)可突破高密度低功耗三維堆疊代碼型閃存器件生產(chǎn)等重大關(guān)鍵技術(shù)30項(xiàng)。

其中，先進(jìn)存儲(chǔ)器科技重大專項(xiàng)重點(diǎn)圍繞5G+AI+云生態(tài)系統(tǒng)下的可穿戴式設(shè)備和智能家電產(chǎn)品對(duì)大存儲(chǔ)容量和高存儲(chǔ)密度代碼型閃存（NOR Flash）提出的迫切需求開展技術(shù)攻關(guān)、產(chǎn)品研制、應(yīng)用示范，專項(xiàng)實(shí)施使湖北省三維堆疊代碼型閃存生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，形成一批具有湖北特色、引領(lǐng)國(guó)內(nèi)技術(shù)發(fā)展的先進(jìn)技術(shù)成果，為實(shí)現(xiàn)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展提供科技支撐。

根據(jù)消息稱，該重大專項(xiàng)擬安排專項(xiàng)資金1000萬(wàn)元。在三維堆疊代碼型閃存的器件建模、芯片設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)、可靠性和失效分析、高速緩存應(yīng)用4個(gè)技術(shù)方向，設(shè)置4個(gè)課題。

其中，三維代碼型閃存器件建模及性能優(yōu)化研究課題的內(nèi)容為面向代碼型閃存（NOR Flash）芯片大存儲(chǔ)容量和高存儲(chǔ)密度的迫切需求，開發(fā)提高浮柵晶體管性能的超臨界處理方法；研究存儲(chǔ)單元性能衰減的再恢復(fù)和再生方法；開展三維代碼型閃存芯片的熱管理建模研究；開展基于仿真的浮柵晶體管新材料新結(jié)構(gòu)的研究。

三維堆疊代碼型閃存芯片設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)課題的內(nèi)容為面向新興電子產(chǎn)品對(duì)大存儲(chǔ)容量和高存儲(chǔ)密度代碼型閃存（NOR Flash）芯片提出的迫切需求，研究基于三維特種工藝的代碼型閃存芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)，研究基于三維架構(gòu)的代碼型閃存半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超越傳統(tǒng)二維代碼型閃存產(chǎn)品的業(yè)界最小的芯片面積和最高存儲(chǔ)密度。

三維堆疊代碼型閃存的可靠性及失效分析研究課題的內(nèi)容為針對(duì)三維堆疊代碼型閃存（NOR Flash）由于特殊設(shè)計(jì)和工藝帶來的不同于平面器件的讀寫等其他電學(xué)操作特性，搭建三維堆疊代碼型閃存測(cè)試系統(tǒng)，開發(fā)相應(yīng)測(cè)試方案；對(duì)失效三維代碼閃存芯片開展其失效分析工作，確定不同工作環(huán)境下失效模型和失效機(jī)理，提出三維堆疊代碼型閃存提升可靠性的解決方案。

高密度非易失存儲(chǔ)與圖像傳感一體化芯片研制課題的內(nèi)容為面向生物醫(yī)療和人工智能時(shí)代的高像素新型圖像傳感中信息高速非易失緩存的需求，研究圖像傳感器的垂直電荷轉(zhuǎn)移及其存儲(chǔ)機(jī)制，將浮柵式閃存與圖像傳感相結(jié)合，開發(fā)新架構(gòu)、工藝流程和應(yīng)用芯片產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)與圖像傳感一體化，打破傳統(tǒng)圖像傳感器緩存的“存儲(chǔ)墻”難題，實(shí)現(xiàn)超小型像素尺寸和即時(shí)非易失緩存的技術(shù)突破。