11月27日，在集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”上，紫光存儲不僅將展出全系列的閃存產(chǎn)品，還將攜手西安紫光國芯帶來備受關(guān)注的內(nèi)存產(chǎn)品，全面展示NAND FLASH+DRAM的豐富產(chǎn)品線。

令人矚目的是，西安紫光國芯研發(fā)設計的第四代內(nèi)存DDR4 DRAM將在此次峰會上與公眾見面。

西安紫光國芯將展出從顆粒到模組全系列的內(nèi)存產(chǎn)品，包括DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 DRAM顆粒，SO-DIMM、U-DIMM、R-DIMM、NVDIMM模組產(chǎn)品，和世界首款商用內(nèi)嵌自糾錯DRAM，即ECC DRAM產(chǎn)品。

圖1 西安紫光國芯的DDR4 DRAM顆粒

圖2 西安紫光國芯的LPDDR4顆粒

圖3 西安紫光國芯的DDR3 ECC DRAM顆粒

圖4 西安紫光國芯的SO-DIMM內(nèi)存模組

圖5 西安紫光國芯的U-DIMM內(nèi)存模組

圖6 西安紫光國芯的R-DIMM內(nèi)存模組

圖7 西安紫光國芯的NVDIMM內(nèi)存模組

西安紫光國芯一直專注于存儲器領(lǐng)域，尤其是DRAM存儲器的研發(fā)和技術(shù)積累。該公司在DRAM產(chǎn)品定義、設計、測試、量產(chǎn)和銷售上建立了完整成熟的體系，累計二十余款芯片產(chǎn)品和四十余款模組產(chǎn)品，實現(xiàn)了全球的量產(chǎn)和銷售。